・10 ～ 2500 MHz、50Ω
・PSAT +40dBm typ
・8W以上的高輸出功率(PIN = +26dBm)
・47%的高效率PAE
・大訊號增益 13.5dB typ
・增益平坦度 ±0.5dB以下
・低IM3 -30dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・低IM5 -57dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・GaN-on-SiC HEMT 技術
・工作溫度範圍 -55℃ ～ +95℃
・+28V電源(400mA)運作
・4×4mm 20接腳QFN封裝
