・10 ～ 6000 MHz、50Ω
・PSAT +38.5dBm typ
・6W以上的高輸出功率 (PIN = +26dBm)
・35%的高效率PAE
・大訊號 增益 12dB typ
・增益平坦度 ±1dB以下
・低IM3 -32dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・低IM5 -56dBc typ(POUT = +26dBm/tone)
・GaN-on-SiC HEMT 技術
・工作溫度範圍 -55℃ ～ +95℃
・+28V電源(400mA)運作
・5×5mm 32接腳QFN封裝
